Samsung et Toshiba vont travailler ensemble sur une spécification dans le transfert de données sur mémoire flash NAND, utilisée dans des produits comme l'iPad, l'iPhone ou les disques SSD. Les deux plus importants producteurs de puces de mémoire flash se sont donc engagés à développer des mémoires NAND en DDR disposant d'une interface 400 Mbit/s, bien plus rapide que les 133 Mbit/s développés récemment, et dix fois plus que les débits de 40 Mbit/s des puces NAND traditionnelles.

ONFI/DDR : une bataille annoncée

La technologie, appelée DDR toggle-mode, est une concurrente directe de l'ONFI (Open NAND Flash Interface) soutenu par Intel, Micron Technology et SanDisk. Les deux sont destinées à des produits de haute performance, comme les SSD, dont certains espèrent qu'ils remplaceront à terme les disques durs. Selon le site web dédié à ses spécifications, l'ONFI peut atteindre seulement entre 166 Mbit/s et 200 Mbit/s. « Les deux visent le même niveau de performance. L'ONFI a un peu d'avance, car a été développé plus tôt, mais le DDR toggle-mode offre à priori une meilleure compatibilité avec l'interface asynchrone standard » précise Gregory Wong, directeur du cabinet Forward Insight. Selon lui, le taux d'adoption dépendra de l'approvisionnement. Or, Samsung et Toshiba fournissent presque 70% des mémoires flash du marché, un avantage pour pousser cette technologie.

Un réel besoin du marché

Jim Handy, analyste chez Objective Analysis, indique que des interfaces plus rapides pour les puces NAND représentent un enjeu important. Celles-ci sont en effet de plus en plus utilisées pour le calcul des données, et plus seulement pour stocker du contenu multimédia. L'annonce des deux entreprises démontre leur volonté à s'attaquer aux problèmes de compatibilité de la DDR toggle mode. Celles-ci disent s'attendre à ce que le développement du marché des smartphones, des tablettes et des SSD mène à une demande importante de puces flash haute performance.

Samsung a présenté, le mois dernier, un des premiers SSD s'appuyant sur une mémoire flash NAND DDR toggle-mode. L'appareil de 512 Go possède une vitesse maximum de lecture de 250 Mo/s et 220 Mo/s en écriture séquentielle. 

Crédit Photo : Toshiba